И вот нахождение на вершине мир-экономики - ныне уже не европейской, но глобальной - дает массу возможностей для заработка на транзакциях. И об этом говорят нам действительно интересные и действительно поучительные (в отличие от тривиальных военно-преступных ужастиков и рассказов о дворцах) материалы WikiLeaks.
Ну вот деньги нынешние. Они не только бумажно-банкнотные, но и безналичные. Существующие в виде электронных записей и транзакций. Электронные платежи широко распространены и в нашей стране. Коммунальные платежи, услуги связи и транспорта, не только супермаркет, но и мелкая лавочка работают с электронными деньгами. Одна из важнейших отраслей-потребителей продукции ИТ. И железа, и софта, и профессиональных навыков. Отрасль прибыльная - помните про кусочек сальца?
Но вот и в этой отрасли важна роль Царя-Жреца. Вот что рассказал нам Ассандж на основе депеши Государственного департамента США от 1 февраля 2010 года:
Наша страна к началу минувшего года обнародовала планы создания новой Национальной системы платёжных карт, которая взимала бы все комиссионные за операции по картам в России и тем самым лишила бы доходов Visa и MasterCard, да ещё и запретила бы переводы за рубеж данных об электронных транзакциях.
Реакция последовала незамедлительно. Сотрудник посольства США в Москве Matthias Mitman тут же телеграфировал Госдепу рекомендацию высокопоставленным госслужащим США воспользоваться встречами с их российскими коллегами, в том числе в рамках двусторонней президентской комиссии [Медведева - Обамы], дабы оказать давление на российских госслужащих на предмет такого изменения законопроекта, чтобы гарантировать, что интересам американских платёжных компаний ущерба нанесено не будет.
Ну, российские госслужащие - песня отдельная. Даже недавние патриоты взыскуют вида на жительство в буржуазной Латвии. Детишек в Первый мир пристроить любят. Так что давление на них оказывать нетрудно. И анализирующая материалы Ассанджа The Guardian приводит слова директора департамента Минфина Сергея Барсукова о том, что законопроект переработан с учётом треволнений иностранных платёжных компаний и ограничений не будет...
Цена вопроса, - по оценками той же The Guardian, - составляла четыре миллиарда долларов в год. Неплохо, не правда ли? Есть чем дорожить нынешним "царям горы"! И что интересоваться теми, кто на периферии... А между тем деньги, полученные американскими платёжными операторами, не получат операторы местные. Не получат их электронщики и системные аналитики; те, кто поставляет оборудование и кто обслуживает его, - рекламщики и операционистки; пивовары и девчушки из ближней сауны - длинная такая цепочка! Нынешняя златая цепь, или золотая ветвь...
Заноют бабульки, ибо, компенсируя выпавшие доходы, банкиры повысят цены на транзакции, всякие коммунальные платежи. И честной конкуренцией, Fair play, тут не пахнет; узнавать предпочтения потребителей никто не собирается, достаточно "оказать давление"... Так что - забавный вывод. На Обладателя Золотой Ветви работают как чиновники-коррупционеры со счетами за рубежом, так и честнейшие и благороднейшие люди, которые, защищая права, обращаются к международным структурам, то есть - в хозяйство "жреца Дианы", доставляя дополнительные возможности "оказывать давление" и перераспределять финансовые потоки в свою сторону... Такая вот честная конкуренция!
Мемристор: "недостающий элемент"
Автор: Олег Нечай
Опубликовано 03 февраля 2011 года
Первый опытный образец мемристора именно как функционального элемента электрической цепи был создан в лабораториях американской компании Hewlett-Packard в апреле 2008 года группой учёных под руководством Стенли Уильямса. Сегодня же в HP считают, что мемристоры начнут вытеснять с рынка флэш-память уже в будущем году, к 2014-2016 гг. они смогут заменить чипы оперативной памяти и жёсткие диски, а в 2020 году могут появиться и мемристорные компьютеры. Познакомимся с принципом работы и способами физической реализации этого интересного элемента.
Для начала немножко теории. Электрическая цепь может описываться четырьмя физическими величинами: в каждой точке (сечении) - силой тока (I) и зарядом (Q), между двумя точками (поверхностями) - напряжением или разностью потенциалов (U) и магнитным потоком (Φ). Все эти четыре величины попарно соотносятся друг с другом, причём эти соотношения представлены в физических элементах электросхемы. Так, резистор (сопротивление) реализует взаимосвязь силы тока и напряжения, конденсатор (ёмкость) - напряжения и заряда, катушка индуктивности - магнитного потока и силы тока. Эти три пассивных элемента - резистор, конденсатор и катушка индуктивности - считаются базовыми в электротехнике, поскольку электрическую схему любой сложности теоретически можно свести к эквивалентной схеме, построенной исключительно из сопротивлений, ёмкостей и индуктивностей.
В 1971 году американский физик Леон О. Чуа из Калифорнийского университета в Беркли выдвинул гипотезу, согласно которой должен существовать четвёртый базовый элемент электросхемы, который описывал бы взаимосвязь магнитного потока с зарядом. Такой элемент невозможно составить из других базовых пассивных элементов, хотя уже тогда его можно было смоделировать с помощью комбинации активных элементов, например операционных усилителей.
Чуа назвал "недостающий" элемент мемзистором - от слов "резистор" и "memory", то есть "память". Это название описывает одну из характеристик мемзистора, так называемый гистерезис, "эффект памяти", означающий, что свойства этого элемента зависят от приложенной ранее силы. В данном случае сопротивление мемристора зависит от пропущенного через него заряда, что и позволяет использовать его в качестве ячейки памяти. Это свойство было названо мемрезистивностью (M), значение которой есть отношение изменения магнитного потока к изменению заряда. Величина M зависит от количества заряда, прошедшего через элемент, то есть от того, как долго через него протекал электрический ток.
Принципиальное отличие мемристора от большинства типов современной полупроводниковой памяти и его главное преимущество перед ними заключаются в том, что он не хранит свои свойства в виде заряда. Это означает, что ему не страшны утечки заряда, с которыми приходится бороться при переходе на микросхемы нанометровых масштабов, и что он полностью энергонезависим. Проще говоря, данные могут храниться в мемристоре до тех пор, пока существуют материалы, из которых он изготовлен. Для сравнения: флэш-память начитает терять записанную информацию уже после года хранения без доступа к электрическому току.
Реализовать на практике эту красивую теорию удалось лишь в 2008 году, когда появились подходящие материалы и технологии. Достижение группы учёных HP под руководством Стэнли Уильямса в действительности трудно переоценить: впервые со времён Фарадея удалось физически воспроизвести принципиально новый элемент электрических цепей! Кстати, одним из ведущих разработчиков группы Уильямса и соавтором научной статьи о мемристорах в журнале Nature стал наш соотечественник Дмитрий Струков.
Конструктивно мемристоры значительно проще флэш-памяти: они состоят из тонкой 50-нм плёнки, состоящей из двух слоёв - изолирующего диоксида титана и слоя, обеднённого кислородом. Плёнка расположена между двумя платиновыми 5-нм электродами. При подаче на электроды напряжения изменяется кристаллическая структура диоксида титана: благодаря диффузии кислорода его электрическое сопротивление увеличивается на несколько порядков (в тысячи раз). При этом после отключения тока изменения в ячейке сохраняются. Смена полярности подаваемого тока переключает состояние ячейки, причём, как утверждают в HP, число таких переключений не ограничено.
На практике мемристор может принимать не только обычные для обычных чипов памяти два положения - 0 или 1, но и любые значения в промежутке от нуля до единицы, так что такой переключатель способен работать как в цифровом (дискретном), так и в аналоговом режимах.
Чтобы эффективно использовать свойства мемристоров, необходимо включить их в состав электрической цепи с активными элементами. В начале 2009 года в Hewlett-Packard была разработана такая гибридная микросхема. Чип представляет собой матрицу из 42 проводников диаметром 40 нм, 21 из которых натянуты параллельно друг другу, а другие 21 - перпендикулярно им. Слой диоксида титана толщиной 20 нм расположен между взаимно перпендикулярными проводниками, и в этих местах формируются мемристоры. Вокруг этой "сетки" расположен массив полевых транзисторов, подключённых к выводам мемристоров.
В августе 2010 года HP и известный производитель микросхем памяти Hynix Semiconductor основали совместное предприятие, которое будет заниматься выпуском мемристорных чипов и их продвижением на рынке в качестве перспективной альтернативы флэш-памяти. Уильямс считает, что серийное производство может быть развёрнуто уже к 2013 году. По его оценкам, при той же цене, что и флэш-память, мемристорные чипы будут обладать как минимум вдвое большим объёмом, будут существенно быстрее её и в десять раз экономичнее.
