По задумке авторов, Prime World должен стать не только геймерской забавой, помогающей скоротать вечер, но и местом, где люди смогут знакомиться и завязывать виртуальные отношения, возможно, переходящие в реальные. В этом помогут, в частности, игровые свадьбы.
Парочки будут получать особенно ценные бонусы и действовать более эффективно. Даже само устройство игры подталкивает к этому: женские персонажи ориентированы на лечение и поддержку, а бравые рыцари призваны защищать и оберегать их (и заодно, конечно, конкурировать между собой за это право).
К тому же специально для соцсетей будет создана вторая составляющая игры, и, в отличие от первой, она будет работать прямо в браузере. Здесь уже не понадобится впопыхах носиться между флагами и метать заклинания в противников.
В интервью изданию Stopgame.ru президент Nival Network Сергей Орловский поделился некоторыми подробностями, касающимися этой второй части Prime World. Её действие будет вертеться вокруг постройки замка и напоминать экономическую стратегию.
В замке можно будет строить здания и разрабатывать умения для героев. Те перекочуют сюда из сессионной части игры (так в Nival Network называют получасовые матчи, в одном из которых я участвовал). Игрок сможет отправлять героев на задания, и они будут улучшать характеристики и приобретать умения в «оффлайновом» режиме. То есть время там будет течь одновременно с реальным, но постоянного участия игрока не потребуется.
Будет и возможность помогать друзьям, формировать отряды для прохождения более сложных заданий или даже сталкиваться с противниками, встреченными в основной части игры. Судя по описанию, это должно отчасти напоминать другие игры для социальных сетей: чем, к примеру, застройка замков отличается от огородничества в игре Farmville или «Счастливом фермере»? Однако остальные обещания всё же наталкивают на мысль, что Prime World может оказаться куда более замысловатой штукой, чем виртуальные грядки.
Связующим звеном между браузерной и сессионной частями Prime World станут умения героев. Игроки их будут собирать примерно как карты в коллекционных карточных играх, вроде Magic the Gathering. Не любые умения подойдут любым персонажам, да и в битву с собой можно будет пронести лишь фиксированное количество заклинаний — приблизительный аналог заранее собранных карточных колод в MTG.
Кажется, что такое сочетание порождает немало новых сложностей. Как сбалансировать части игры так, чтобы любители браузерной половины не оказывались в сильном выигрыше перед теми, кто хочет играть лишь в основную? Не будет ли наличие супружеских пар в команде всегда означать победу? Понравится ли игрокам «бесплатная» модель распространения, при который прибыль компания будет получать от продажи неких мелких игровых бонусов?
От ответов на все эти вопросы напрямую зависит судьба проекта, а он ох как важен для «Нивала». В компании надеются, что Prime World не только завоюет сердца российских и зарубежных геймеров, но и даст нечто новое социальному направлению в играх.
Получится ли? Предсказать невозможно. Но в конце концов у «Нивала» за плечами немалый опыт: двенадцать лет разработки игр, два из которых компания занималась локализованными MMO. К тому же это чуть ли не единственная российская фирма, создающая крупномасштабные многопользовательские игры — так что нам остаётся лишь надеяться, чтобы у неё всё получилось.
К оглавлению
Мемристор: «недостающий элемент»
Олег Нечай
Опубликовано 03 февраля 2011 года
Первый опытный образец мемристора именно как функционального элемента электрической цепи был создан в лабораториях американской компании Hewlett-Packard в апреле 2008 года группой учёных под руководством Стенли Уильямса. Сегодня же в HP считают, что мемристоры начнут вытеснять с рынка флэш-память уже в будущем году, к 2014-2016 гг. они смогут заменить чипы оперативной памяти и жёсткие диски, а в 2020 году могут появиться и мемристорные компьютеры. Познакомимся с принципом работы и способами физической реализации этого интересного элемента.
Для начала немножко теории. Электрическая цепь может описываться четырьмя физическими величинами: в каждой точке (сечении) — силой тока (I) и зарядом (Q), между двумя точками (поверхностями) — напряжением или разностью потенциалов (U) и магнитным потоком (Φ). Все эти четыре величины попарно соотносятся друг с другом, причём эти соотношения представлены в физических элементах электросхемы. Так, резистор (сопротивление) реализует взаимосвязь силы тока и напряжения, конденсатор (ёмкость) — напряжения и заряда, катушка индуктивности — магнитного потока и силы тока. Эти три пассивных элемента — резистор, конденсатор и катушка индуктивности — считаются базовыми в электротехнике, поскольку электрическую схему любой сложности теоретически можно свести к эквивалентной схеме, построенной исключительно из сопротивлений, ёмкостей и индуктивностей.
В 1971 году американский физик Леон О. Чуа из Калифорнийского университета в Беркли выдвинул гипотезу, согласно которой должен существовать четвёртый базовый элемент электросхемы, который описывал бы взаимосвязь магнитного потока с зарядом. Такой элемент невозможно составить из других базовых пассивных элементов, хотя уже тогда его можно было смоделировать с помощью комбинации активных элементов, например операционных усилителей.
Чуа назвал «недостающий» элемент мемзистором — от слов «резистор» и «memory», то есть «память». Это название описывает одну из характеристик мемзистора, так называемый гистерезис, «эффект памяти», означающий, что свойства этого элемента зависят от приложенной ранее силы. В данном случае сопротивление мемристора зависит от пропущенного через него заряда, что и позволяет использовать его в качестве ячейки памяти. Это свойство было названо мемрезистивностью (M), значение которой есть отношение изменения магнитного потока к изменению заряда. Величина M зависит от количества заряда, прошедшего через элемент, то есть от того, как долго через него протекал электрический ток.
Принципиальное отличие мемристора от большинства типов современной полупроводниковой памяти и его главное преимущество перед ними заключаются в том, что он не хранит свои свойства в виде заряда. Это означает, что ему не страшны утечки заряда, с которыми приходится бороться при переходе на микросхемы нанометровых масштабов, и что он полностью энергонезависим. Проще говоря, данные могут храниться в мемристоре до тех пор, пока существуют материалы, из которых он изготовлен. Для сравнения: флэш-память начитает терять записанную информацию уже после года хранения без доступа к электрическому току.
Реализовать на практике эту красивую теорию удалось лишь в 2008 году, когда появились подходящие материалы и технологии. Достижение группы учёных HP под руководством Стэнли Уильямса в действительности трудно переоценить: впервые со времён Фарадея удалось физически воспроизвести принципиально новый элемент электрических цепей! Кстати, одним из ведущих разработчиков группы Уильямса и соавтором научной статьи о мемристорах в журнале Nature стал наш соотечественник Дмитрий Струков.
Конструктивно мемристоры значительно проще флэш-памяти: они состоят из тонкой 50-нм плёнки, состоящей из двух слоёв — изолирующего диоксида титана и слоя, обеднённого кислородом. Плёнка расположена между двумя платиновыми 5-нм электродами. При подаче на электроды напряжения изменяется кристаллическая структура диоксида титана: благодаря диффузии кислорода его электрическое сопротивление увеличивается на несколько порядков (в тысячи раз). При этом после отключения тока изменения в ячейке сохраняются. Смена полярности подаваемого тока переключает состояние ячейки, причём, как утверждают в HP, число таких переключений не ограничено.
На практике мемристор может принимать не только обычные для обычных чипов памяти два положения — 0 или 1, но и любые значения в промежутке от нуля до единицы, так что такой переключатель способен работать как в цифровом (дискретном), так и в аналоговом режимах.
Чтобы эффективно использовать свойства мемристоров, необходимо включить их в состав электрической цепи с активными элементами. В начале 2009 года в Hewlett-Packard была разработана такая гибридная микросхема. Чип представляет собой матрицу из 42 проводников диаметром 40 нм, 21 из которых натянуты параллельно друг другу, а другие 21 — перпендикулярно им. Слой диоксида титана толщиной 20 нм расположен между взаимно перпендикулярными проводниками, и в этих местах формируются мемристоры. Вокруг этой «сетки» расположен массив полевых транзисторов, подключённых к выводам мемристоров.
