На официальном сайте префектуры Зеленоградского Административного округа сообщается, что «датой рождения Зеленограда считается 3 марта 1958 г. Тогда было принято постановление Совмина СССР № 248 о строительстве под Москвой в районе станции Крюково города-спутника. В 1962 г. строящийся город был передан в ведение Государственного Комитета по электронной технике (ГКЭТ)». На самом деле это произошло годом раньше. Согласно постановлению ЦК КПСС и Совмина СССР от 1 августа 1961 г. № 695–292 сс «ГКЭТ разрешено построить в Крюково опытно-показательный завод НИИРТ-282».[74]
В 1980-е годы сообщения о Зеленограде стали появляться на страницах американских журналов «Defence Electronics”, “Electronics Weekly” и “Bell System Technical Journal”. В них, в частности, констатируется неуклонное сокращение технологического разрыва между американской и советской электронной промышленностью, который в 1970-е годы, по мнению американских специалистов, составлял не менее 10 лет.
17 октября 2008 г. вышло распоряжение префекта Зеленоградского АО г. Москвы № 867–рп «О концепции создания территории инновационного развития в Зеленоградском административном округе города Москвы». В Приложении № 1 документа, в частности, сообщается:
«Пятьдесят лет назад для решения важнейшей государственной задачи – создания и развития электронной отрасли – было начато строительство Зеленограда, при этом он задумывался как центр микроэлектроники и электроники СССР. В период с середины 60-х до начала 80-х годов прошлого столетия в Зеленограде был создан уникальный территориальный научно-производственный комплекс (НПК), деятельность которого была направлена в основном на создание микросхем различного назначения и аппаратуры на их основе. В его состав вошли научно-производственные объединения, включающие научно-исследовательский институт и опытный завод. В рамках НПК обеспечивался замкнутый технологический цикл, начиная от прикладных исследований и заканчивая серийным производством изделий в основном оборонного назначения.
Для подготовки высококвалифицированных кадров был основан Московский институт электронной техники (МИЭТ). Выпускающие кафедры института и лаборатории научно-исследовательских институтов работали в тесном контакте, выполняли поисковые разработки. Полученные технологические решения НИИ передавали для освоения на опытные заводы. С целью обеспечения высококвалифицированным кадровым потенциалом предприятиям было также дано право принимать на работу специалистов из других регионов страны с предоставлением им жилой площади. Это позволило сконцентрировать в Зеленограде значительное количество молодых, талантливых, амбициозных специалистов.
К середине 80-х годов НПК сложился, он в полной мере обеспечивал современной элементной базой и аппаратурой на ее основе все возрастающие потребности народного хозяйства страны. Фактически была сформирована непрерывная замкнутая система создания и производства продукции (преимущественно оборонного назначения) на уровне мировых стандартов. ‹…› Системы вооружений, созданные с использованием изделий микроэлектроники Зеленограда, стали одними из лучших в мире и обеспечили высокий уровень обороноспособности страны. Зеленоград как центр микроэлектронной индустрии во многом определил устойчивость развития электронной отрасли страны в целом».
После выхода в США книги Стивена Юдсена о том, как два американца (Старос и Берг) основали The Soviet Silicon Valley (Советскую Кремниевую Долину), разразился скандал. Ветераны электропрома с возмущением писали о том, что американско-советский инженер Филипп Георгиевич Старос и его коллега Иосиф Берг к передаче СССР американских субмикронных технологий вообще не причастны. Они переехали в Ленинград на работу в лабораторию СЛ-11 (затем КБ-2) в 1956 г. Первая же интегральная схема была изобретена Джеком Килби и Робертом Нойсом в 1958–59 гг., то есть о разработках американских ученых из Texas Instrument и Fairchild Semicondactor они не могли ничего знать. Якобы, учитывая их туманное иностранное происхождение, командование ВМФ, по согласованию с компетентными органами, ограничивалось заказом разработок, не требующим выдачи в качестве исходных данных наиболее важных сведений о современном боевом оружии и электронной оснастке военных кораблей.
Никто из ветеранов электропрома не отрицает, что Филипп Старос (настоящие имя и фамилия Альфред Сарант) – яркая и незаурядная личность, и что он многого достиг в решении проблемы минитюаризации электронной и вычислительной техники, но в качестве заместителя директора Научного Центра ничем себя особенно не проявил.
В интервью редактору журнала «Информационное общество» Татьяне Ершовой И. Н. Букреев (бывший заведующий сектором электронной промышленности ЦК КПСС) раскрыл, полагая, что об этом уже можно говорить, некоторые неизвестные подробности его удивительной биографии:
«Старос был приятелем четы Розенбергов, казненных в США за выдачу атомных секретов СССР. Вот в тот драматический момент он и бежал. В Чехословакии он встретился с Бергом, который стал на многие годы его помощником. Старос сам физик и прекрасный математик, вообще многогранный ученый и хороший инженер. Он всегда тяготел к электронике. В Чехословакии он занимался приборами, для зенитной артиллерии. Старос владел несколькими иностранными языками, увлекался музыкой, сам играл на различных музыкальных инструментах.
По договоренности советского правительства с чехословацким, Староса и Берга перевели в Ленинград, где им дали возможность организовать конструкторское бюро по разработке приборов для авиации. Это было небольшое КБ с очень сильным составом инженеров. Старосу и Бергу в Ленинграде создали очень хорошие условия. Они получили комфортабельные квартиры, им зачли их дипломы об образовании. Впоследствии Старос стал доктором технических наук, лауреатом Государственной премии. Его приняли в партию прямо на Политбюро ЦК КПСС одновременно с космонавтом Германом Титовым, который в это время был на орбите».[75]
Из опубликованных произведений, относящихся к категории «ветеранской историографии», особого внимания заслуживают статьи бывшего начальника Отдела интегральных схем НИИ-35 Б. В. Малина (сын заведующего Общим отделом ЦК КПСС В. Н. Малина). В 1961–62 гг. Б. В. Малин проходил стажировку в США, составлял технические предложения по развитию полупроводникового машиностроения, в частности, по термическим процессам и фотолитографии и для закупок технологического оборудования по импорту. Научные разработки кандидата технических наук Малина зафиксированы и подтверждаются рядом научно-технологических отчётов НИИ-35, авторскими свидетельствами, рядом статей, опубликованных в сборниках «Полупроводниковые приборы и их применение» (М.,1970), и «Микроэлектроника» (М.,1974).
По мнению Б. В. Малина, ключевая проблема отечественной микроэлектроники – недооценка перспективных технологий изготовления интегральных схем на кремнии, которые требовали серьезных затрат на создание уникального оборудования и строительство комплекса «чистых» производственных помещений. Ему же принадлежат откровенные признания о глубоко укоренившемся в практике отечественного электронного инжиниринга «вирусе передира».[76] Под этим термином подразумевается нежелание руководства Минэлектропрома заниматься собственными разработками интегральных схем и микропроцессоров, а стремление pour rien (по-русски, «на халяву») заимствовать лучшие образцы продукции конкурирующих между собой западных фирм.
Конец ознакомительного фрагмента.
Текст предоставлен ООО «ЛитРес».
Прочитайте эту книгу целиком, купив полную легальную версию на ЛитРес.
Безопасно оплатить книгу можно банковской картой Visa, MasterCard, Maestro, со счета мобильного телефона, с платежного терминала, в салоне МТС или Связной, через PayPal, WebMoney, Яндекс.Деньги, QIWI Кошелек, бонусными картами или другим удобным Вам способом.
Лауреаты Нобелевской премии: Энциклопедия: Пер. с англ. – М.: Прогресс, 1992.
Очерк развития радиотелеграфных сообщений в России и за границей. – СПб., 1913. С. 32.
Электроника: прошлое, настоящее, будущее/Пер. с английского под ред. В. И. Сифова.-М.:Мир, 1980. С. 20.
Лобанов М. М. Из прошлого радиолокации. – М.: Советское радио, 1975. С. 5.
Николай Алексеевич Пеннин/К истории ФИАН. Серия «Портреты». Выпуск 4. М.: Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 2007. С. 9.
См.: Стафеев В. И. Начальные этапы становления полупроводниковой электроники в СССР (К 60-летию открытия транзистора)//Физика и техника полупроводников, 2010. Т. 44. Вып. 5.
