Ознакомительная версия.
Рис. С.3. Демонстрационная программа ускоренного обучения
Рис. С.4. Меню уроков ускоренного обучения
Рис. С.5. Упражнение по созданию схемы
Изучение CaptureЕсли вы хотите глубже изучить упражнения, приведенные в главах, посвященных программе Capture, выберите Help, Learning Capture. Набор упражнений в первых тринадцати главах касается намного большего числа тем и рассматривает их более подробно, чем при ускоренном обучении. Так как эти уроки потребуют значительных временных затрат, не стоит обращаться к ним, пока не возникнет действительная необходимость; при этом можно ознакомиться только с уроком, представляющим для вас интерес. Меню для этих уроков показано на рис. С.6.
Рис. С.6. Меню уроков по Capture
Приложение D. Компоненты: параметры моделей PSpice
Знак * указывает, что элемент может быть повторен.
В — полевой транзистор GaAsFET
В[имя] <узел стока> <узел затвора> <узел истока> <имя модели> <[площадь]>;
Имя параметра Параметр Значения по умолчанию Единицы LEVEL Тип модели (1 = Curtice, 2 = Raytheon) 1 VTO Барьерный потенциал -2,5 В ALPHA Константа, определяющая зависимость тока стока, от напряжения сток-исток 2 B-1 В Коэффициент легирования 0,3 BETA Транскондуктивность, связывающая ток стока с напряжением 0,1 А/В² LAMBDA Константа, учитывающая модуляцию длины канала 0 В-1 RG Омическое сопротивление затвора 0 Ом RD Омическое сопротивление стока 0 Ом RS Омическое сопротивление истока 0 Ом IS Ток насыщения
pn-затвора 1Е-14 А M Коэффициент лавинного умножения
pn-затвора 0,5 N Коэффициент эмиссии
pn-затвора 1 VBI Потенциал
pn-затвора 1 В CGD Емкость затвор-сток при нулевом смещении 0 Ф CGS Емкость затвор-исток при нулевом смещении 0 Ф CDS Емкость сток-исток 0 Ф TAU Время переноса заряда 0 FC Коэффициент нелинейности прямосмещенной барьерной емкости 0,5 VTOTC Температурный коэффициент VTO 0 BETATCE Температурный коэффициент BETA 0 KF Коэффициент спектральной плотности фликкер-шума 0 AF Показатель спектральной плотности фликкер-шума 1
[площадь] — относительная площадь устройства, по умолчанию ее значение равно 1. Компонент GaAsFET, как показано на рис. D.1, смоделирован как встроенный полевой транзистор (FET) с омическим сопротивлением RD, включенным последовательно со стоком, второе омическое сопротивление RS включено последовательно с истоком и третье омическое сопротивление RG — последовательно с затвором.[10]
Curtice и Raytheon представляют собой модели, названные по именам авторов. Описание приведено, соответственно, в работах:
[1] W. R. Curtice, «А MOSFET model for use in the design of GaAs integrated circuits», IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, MTT-28, 448-456 (1980).
[2] H. Statz, P. Newman, I. W. Smith, R. A. Pucel, and H. A. Haus, «GaAs FET Device and Circuit Simulation in SPICE», IEEE Transactions on Electron Devices, ED-34,160-169 (1987). (Прим. переводчика.)
Рис. D.1. Модель для арсенид-галлиевых транзисторов GaAsFET
С — конденсатор
С<имя> <+узел> <-узел> [имя модели] <значение> [IС = начальное значение>]
Параметры модели Параметр Значения по умолчанию Единицы С Коэффициент, на который умножается емкость 1 VC1 линейный коэффициент напряжения 0 B-1 VC2 квадратичный коэффициент напряжения 0 В-2 TC1 линейный коэффициент температуры 0 °C-1 ТС2 квадратичный коэффициент температуры 0 °C-2
Если [имя модели] отсутствует, то <значение> приведенное далее, представляет собой емкость в фарадах. Если [имя модели] задано, то емкость вычисляется по формуле
<3начение> C(I + VC1·V + VC2·V²)(I + TC1(T – Tnom) + TC2(T - Tnom)²),
где Tnom — номинальная температура, установленная опцией TNOM.
D — диод
D<имя> <+узел> <-узел> <имя модели> [площадь]
Параметры модели Параметр Значения по умолчанию Единицы IS Ток насыщения 1Е-14 А N Коэффициент эмиссии 1 RS Паразитное сопротивление 0 Ом CJO Емкость
pn-перехода при нулевом смещении 0 Ф VJ Потенциал
pn-перехода при прямом смещении 1 В M Коэффициент лавинного умножения
pn-перехода 0,5 FC Коэффициент нелинейности емкости прямосмещенного перехода 0,5 TT Время переноса заряда 0 с BV Обратное напряжение пробоя бесконечно большое В IBV Обратный ток пробоя 1Е-10 А EG Ширина запрещенной зоны (высота барьера) 1,11 эВ XTI Ток насыщения IS 3 KF Коэффициент фликкер-шума 0 AF Показатель степени для фликкер-шума 1
Модель диода, показанная на рис. D2, содержит встроенное омическое сопротивление RS.
Рис. D.2. Модель диода
Е — источник напряжения, управляемый напряжением
Е<имя> <+узел> <-узел> <+узел управления> <-узел управления> <коэффициент усиления>
Е<имя> <+узел> <-узел> POLY <значение> <+узел управления> <-узел управления> * <значения полиномиальных коэффициентов> *
F — Источник тока, управляемый током
F<имя> <+узел> <-узел> <имя управляющего компонента V> <коэффициент усиления>
F<имя> <+узел> <-узел> POLY <(значение)> <имя управляющего компонента V> * <значения полиномиальных коэффициентов> *
G — источник тока, управляемый напряжением
G<имя> <+узел> <-узел> <+узел управления> <-узел управления> <проводимость передачи>
G<имя> <+узел> <-узел> POLY <(значение)> <+узел управления> <-узел управления> * <значения полиномиальных коэффициентов> *
Н — источник напряжения управляемый током
Н<имя> <+узел> <-узел> <имя управляющего компонента V> <сопротивление передачи>
H<имя> <+узел> <-узел> POLY <(значение)> <имя управляющего компонента V> * <значения полиномиальных коэффициентов> *
I — независимый источник тока
I<имя> <+узел> <-узел>[[DС]<значение>] [АС] <амплитуда> [<фазовый угол>]][спецификация формы тока]
Если имеется [спецификация формы тока], она должна быть одной из следующих: EXP(), PULSE(), PWL(), SFFM() или SIN().
J — полевой транзистор JFET
J[имя] <узел стока> <узел затвора> <узел истока> <имя модели>
Параметры модели Параметр Значения по умолчанию Единицы VTO Барьерный потенциал –2,5 В BETA Транскондуктивность, связывающая ток стока с напряжением 0,1 А/В² LAMBDA Константа, учитывающая модуляцию длины канала 0 B-1 RG Омическое сопротивление затвора 0 Ом RD Омическое сопротивление стока 0 Ом RS Омическое сопротивление истока 0 Ом IS Ток насыщения
pn-перехода затвора 1Е-14 А M Коэффициент лавинного умножения
pn-перехода затвора 0,5 N Коэффициент эмиссии 1 VBI Потенциал
pn-перехода затвора 1 В CGD Емкость затвор-сток при нулевом смещении 0 Ф CGS Емкость затвор-исток при нулевом смещении 0 Ф CDS Емкость сток-исток 0 Ф FC Коэффициент нелинейности емкости прямосмещенного перехода 0,5 VTOTC Температурный коэффициент VTO 0 ВЕТАТСЕ Температурный коэффициент BETA 0 KF Коэффициент спектральной плотности фликкер-шума 0 AF Показатель спектральной плотности фликкер-шума 1
Полевой транзистор JFET, как показано на рис. D.3, смоделирован как встроенный полевой транзистор с омическим сопротивлением RD, включенным последовательно со стоком. Другое омическое сопротивление RS включено последовательно с истоком.
Ознакомительная версия.
